Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and silicon carbide semiconductor device

WO2016125404 Art A1 11. August 2016

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016125404
Aktenzeichen: EP15881221
Anmeldetag: 16. Dezember 2015
Veröffentlichung: 11. August 2016
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36B24B37/10C30B25/20C30B33/02C30B33/08H01L21/20H01L21/205H01L21/304

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

2.075 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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