Bonded semiconductor wafer and method for manufacturing same
WO2016125427
Art A1
11. August 2016
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016125427
- Aktenzeichen
- EP16746261
- Anmeldetag
- 8. Januar 2016
- Veröffentlichung
- 11. August 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/02H01L21/20H01L27/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
1.022 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.