P-doped electrically conductive polymeric materials for hole-injection and hole-extraction layers
WO2016126209
Art A1
11. August 2016
Anmelder: National University of Singapore 🇸🇬
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016126209
- Aktenzeichen
- EP16746918
- Anmeldetag
- 3. Februar 2016
- Veröffentlichung
- 11. August 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L51/00C08G73/02C08G61/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National University of Singapore
- Land
- 🇸🇬 Singapur
🇸🇬
National University of Singapore
Staatliche Universität in Singapur, eine der größten und international bestbewerteten Hochschulen Asiens. Sie ist in Forschung und Lehre breit aufgestellt, mit starken Ingenieur- und Naturwissenschaftsfakultäten.
1.152 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.