High figure of merit p-type fenbhfsb thermoelectric material and preparation method therefor

WO2016127572 Art A1 18. August 2016

Anmelder: Zhejiang University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016127572
Aktenzeichen: EP15881732
Anmeldetag: 16. Juli 2015
Veröffentlichung: 18. August 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L35/18

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Zhejiang University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Zhejiang University

Chinesische Universität mit Sitz in Hangzhou, eine der führenden Forschungshochschulen Chinas mit breitem Fächerspektrum einschließlich Ingenieurwissenschaften und Materialforschung.

556 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von