Semiconductor device and method for manufacturing same

WO2016129109 Art A1 18. August 2016

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016129109
Aktenzeichen: EP15881984
Anmeldetag: 13. Februar 2015
Veröffentlichung: 18. August 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/14H01L21/3205H01L21/768H01L21/82H01L23/522H04N5/369

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Nachrichtentechnik & Telekommunikation

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