Device and method for producing metal nitride film for thermistors

WO2016129217 Art A1 18. August 2016

Anmelder: Mitsubishi Materials Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016129217
Aktenzeichen: EP16748865
Anmeldetag: 25. Januar 2016
Veröffentlichung: 18. August 2016
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/50C23C14/06H01C7/04H01C17/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Mitsubishi Materials Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Materials

Japanisches Unternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Metallen und Werkstoffen, unter anderem Kupfer, Zement, Hartmetallwerkzeuge und elektronische Materialien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von