Methods and apparatus for variable selectivity atomic layer etching

WO2016130795 Art A1 18. August 2016

Anmelder: Massachusetts Institute of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016130795
Aktenzeichen: EP16749875
Anmeldetag: 11. Februar 2016
Veröffentlichung: 18. August 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/308H01L21/027H01L21/32

Offizieller Volltext

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Anmelder

Firma: Massachusetts Institute of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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