Highly sensitive nano photo-transistor and manufacturing method therefor, and photo-communication device and spectrum splitter device using same

WO2016131400 Art A1 25. August 2016

Anmelder: Shanghai Jiao Tong University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016131400
Aktenzeichen: EP16751931
Anmeldetag: 5. Februar 2016
Veröffentlichung: 25. August 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/0232H01L31/11H01L31/18

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Anmelder

Firma: Shanghai Jiao Tong University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Shanghai Jiao Tong University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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