Verfahren zur Strukturierung einer Nitridschicht, Strukturierte Dielektrikumschicht, Optoelektronisches Bauelement, Ätzverfahren zum Ätzen von Schichten und Umgebungssensor
WO2016131971
Art A1
25. August 2016
Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016131971
- Aktenzeichen
- EP16705934
- Anmeldetag
- 19. Februar 2016
- Veröffentlichung
- 25. August 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L33/44
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- OSRAM Opto Semiconductors GmbH
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
OSRAM Opto Semiconductors
Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.
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