Nitride semiconductor free-standing substrate production method

WO2016132815 Art A1 25. August 2016

Anmelder: Tohoku University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016132815
Aktenzeichen: EP16752204
Anmeldetag: 22. Januar 2016
Veröffentlichung: 25. August 2016
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C23C16/34C30B25/18H01L33/32

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Tohoku University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tohoku University

Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.

2.166 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen