Screening For Data Retention Loss in Ferroelectric Memories

WO2016133866 Art A1 25. August 2016

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016133866
Aktenzeichen: EP16752879
Anmeldetag: 16. Februar 2016
Veröffentlichung: 25. August 2016
Rechtsraum: WO
IPC: G11C29/50G11C11/22

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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