Gate-tunable atomically-thin memristors and methods for preparing same and applications of same

WO2016134011 Art A1 25. August 2016

Anmelder: Northwestern University 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016134011
Aktenzeichen: EP16752973
Anmeldetag: 17. Februar 2016
Veröffentlichung: 25. August 2016
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/16G11C13/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Northwestern University
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Northwestern University

Private US-amerikanische Universität mit Hauptsitz in Evanston, Illinois, bekannt für Forschung in Ingenieurwissenschaften, Medizin und Materialwissenschaften.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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