Method for enhancing performance of plasma-wave transistor

WO2016137030 Art A1 1. September 2016

Anmelder: Korea Advanced Institute of Science and Technology, UNIST (Ulsan National Institute of Science and Technology) 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016137030
Aktenzeichen: EP15883419
Anmeldetag: 25. Februar 2015
Veröffentlichung: 1. September 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Korea Advanced Institute of Science and Technology
UNIST (Ulsan National Institute of Science and Technology)
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 KAIST

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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