Metal-dielectric layer-semiconductor structure of source-and-drain contact for three-dimensional single integrated low temperature process technology and method for manufacturing same

WO2016137123 Art A1 1. September 2016

Anmelder: Korea University Research and Business Foundation, Inha-Industry Partnership Institute 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016137123
Aktenzeichen: EP16755773
Anmeldetag: 22. Januar 2016
Veröffentlichung: 1. September 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/49H01L29/66H01L21/314

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Korea University Research and Business Foundation
Inha-Industry Partnership Institute
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea University Research and Business Foundation

Südkoreanische Einrichtung, die Forschungsprojekte und Technologietransfer der Korea University verwaltet, patentiert Ergebnisse aus universitärer Forschung in Naturwissenschaften, Technik und Medizin und überführt sie in Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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