Method for forming zinc-doped tin oxide thin film

WO2016137233 Art A1 1. September 2016

Anmelder: IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016137233
Aktenzeichen: EP16755883
Anmeldetag: 24. Februar 2016
Veröffentlichung: 1. September 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/208

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Iucf-hyu (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)

Die IUCF-HYU verwaltet Forschungsergebnisse und Patente der Hanyang University in Südkorea. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiterbauelemente sowie Medizintechnik, ergänzt um anorganische Chemie und Software. Anmeldungen reichen von 2002 bis 2025.

503 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von