Method for manufacturing group-iii nitride semiconductor crystal substrate

WO2016140074 Art A1 9. September 2016

Anmelder: Osaka University, Sumitomo Chemical Company Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016140074
Aktenzeichen: EP16758768
Anmeldetag: 18. Februar 2016
Veröffentlichung: 9. September 2016
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C30B25/20H01L21/205H01L21/208

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Osaka University
Sumitomo Chemical Company Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Osaka University

Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

2.434 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Sumitomo Chemical

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.

7.416 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von