Manufacturing method for field effect transistor

WO2016141784 Art A1 15. September 2016

Anmelder: CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016141784
Aktenzeichen: EP16761011
Anmeldetag: 28. Januar 2016
Veröffentlichung: 15. September 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/266

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 CSMC Technologies Fab2

CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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