Resistance random access memory device

WO2016143960 Art A1 15. September 2016

Anmelder: Seoul National University R & DB Foundation 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016143960
Aktenzeichen: EP15884760
Anmeldetag: 26. August 2015
Veröffentlichung: 15. September 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L27/24

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Seoul National University R & DB Foundation
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Seoul National University R&DB Foundation

Technologietransfer- und Forschungsförderungsstiftung der Seoul National University in Südkorea. Sie verwaltet und vermarktet die an der Universität entstandenen Forschungsergebnisse und Patente.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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