Self-aligning source, drain and gate process for iii-v nitride mishemts

WO2016144263 Art A1 15. September 2016

Anmelder: Agency for Science, Technology and Research 🇸🇬

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016144263
Aktenzeichen: EP16762075
Anmeldetag: 9. März 2016
Veröffentlichung: 15. September 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/335H01L21/285H01L29/778

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Agency for Science, Technology and Research
Land: 🇸🇬 Singapur

🇸🇬 Agency for Science, Technology and Research

Staatliche Forschungsorganisation Singapurs (bekannt als A*STAR), zuständig für angewandte Forschung in Biomedizin, Physik und Ingenieurwissenschaften. Fördert Technologietransfer zwischen Wissenschaft und Industrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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