Basno3 thin film transistor having high field-effect mobility, and manufacturing method therefor

WO2016153172 Art A1 29. September 2016

Anmelder: Seoul National University R&DB Foundation 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016153172
Aktenzeichen: EP16768991
Anmeldetag: 5. Februar 2016
Veröffentlichung: 29. September 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Seoul National University R&DB Foundation
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Seoul National University R&DB Foundation

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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