Doped n-type polycrystalline sn-se-s and methods of manufacture

WO2016153569 Art A1 29. September 2016

Anmelder: University of Houston System 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016153569
Aktenzeichen: EP15886714
Anmeldetag: 10. Dezember 2015
Veröffentlichung: 29. September 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L35/14H01L35/16H01L35/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: University of Houston System
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of Houston System

Der Anmelder ist der Universitätsverbund der University of Houston in den USA. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Halbleiterbauelemente sowie auf Messtechnik, organische Chemie und Pharma- und Biotechnologie. Anmeldungen laufen seit dem Jahr 2000 durchgehend fort.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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