Current Leakage Reduction in 3D Nand Memory

WO2016153654 Art A1 29. September 2016

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016153654
Aktenzeichen: EP16769236
Anmeldetag: 19. Februar 2016
Veröffentlichung: 29. September 2016
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/04G11C16/08

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

26.633 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

Vertreten von