Capped through-silicon-vias for 3d integrated circuits

WO2016154526 Art A1 29. September 2016

Anmelder: Board of Regents, The University of Texas System 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016154526
Aktenzeichen: EP16769760
Anmeldetag: 25. März 2016
Veröffentlichung: 29. September 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L23/532H01L25/065

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Board of Regents, The University of Texas System
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of Texas System

US-amerikanischer Universitätsverbund mit Sitz in Austin, Texas, bestehend aus mehreren Hochschulen und medizinischen Zentren. Der University of Texas System ist in Forschung zu Medizin, Naturwissenschaften, Ingenieurwesen und Biotechnologie aktiv.

2.504 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von