Transistor and electronic device
WO2016157016
Art A1
6. Oktober 2016
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016157016
- Aktenzeichen
- EP16771478
- Anmeldetag
- 18. März 2016
- Veröffentlichung
- 6. Oktober 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786C23C14/08H01L21/28H01L21/336H01L21/363H01L21/8234H01L21/8238H01L21/8242H01L21/8244H01L21/8247H01L27/06H01L27/08H01L27/088H01L27/092H01L27/108H01L27/11H01L27/115H01L27/146H01L29/417H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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