Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

WO2016157371 Art A1 6. Oktober 2016

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016157371
Aktenzeichen: EP15887524
Anmeldetag: 30. März 2015
Veröffentlichung: 6. Oktober 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/338H01L21/28H01L21/336H01L29/423H01L29/49H01L29/778H01L29/78H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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