Semiconductor device
WO2016157412
Art A1
6. Oktober 2016
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016157412
- Aktenzeichen
- EP15887565
- Anmeldetag
- 31. März 2015
- Veröffentlichung
- 6. Oktober 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C11/412G11C11/41G11C11/413
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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