Magnetic resistance effect element, magnetic memory device, manufacturing method, operation method, and integrated circuit
WO2016159017
Art A1
6. Oktober 2016
Anmelder: Tohoku University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016159017
- Aktenzeichen
- EP16772898
- Anmeldetag
- 29. März 2016
- Veröffentlichung
- 6. Oktober 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L43/08G11C11/15H01L21/8246H01L27/105H01L29/82H01L43/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tohoku University
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
2.166 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.