Method for producing silicon carbide single crystal

WO2016163157 Art A1 13. Oktober 2016

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016163157
Aktenzeichen: EP16776326
Anmeldetag: 16. Februar 2016
Veröffentlichung: 13. Oktober 2016
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C30B23/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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