Method for manufacturing wafer structure having horizontal junction

WO2016167450 Art A1 20. Oktober 2016

Anmelder: Korea Advanced Institute of Science and Technology 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016167450
Aktenzeichen: EP16780173
Anmeldetag: 25. Januar 2016
Veröffentlichung: 20. Oktober 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/00H01L33/04

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Korea Advanced Institute of Science and Technology
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 KAIST

Südkoreanische technische Universität und Forschungsinstitution mit Fokus auf Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologieentwicklung, unter anderem in Robotik und Elektronik.

1.309 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von