Semiconductor device

WO2016170836 Art A1 27. Oktober 2016

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2016170836
Aktenzeichen
EP16782858
Anmeldetag
22. Februar 2016
Veröffentlichung
27. Oktober 2016
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/28H01L21/336H01L27/04H01L29/06H01L29/12H01L29/78H01L29/861H01L29/868
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Fuji Electric Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

2.075 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen