Apparatus and method for self bias in gallium nitride (gan) amplifiers

WO2016172267 Art A1 27. Oktober 2016

Anmelder: Lockheed Martin Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016172267
Aktenzeichen: EP16783806
Anmeldetag: 20. April 2016
Veröffentlichung: 27. Oktober 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H03F3/16H03F3/193

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Lockheed Martin Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lockheed Martin

US-amerikanischer Luft- und Raumfahrt- sowie Rüstungskonzern mit Sitz in Maryland, tätig in Entwicklung von Kampfflugzeugen, Raketensystemen, Satelliten und Verteidigungstechnik.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

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