Dual transistors fabricated on lead frames and method of fabrication
WO2016172668
Art A1
27. Oktober 2016
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016172668
- Aktenzeichen
- EP16784060
- Anmeldetag
- 25. April 2016
- Veröffentlichung
- 27. Oktober 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/105H01L21/335
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
4.297 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.