Semiconductor device
WO2016174899
Art A1
3. November 2016
Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016174899
- Aktenzeichen
- EP16786176
- Anmeldetag
- 19. Februar 2016
- Veröffentlichung
- 3. November 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L25/07H01L23/12H01L23/36H01L23/48H01L25/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Fuji Electric Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fuji Electric
Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.
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