Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
WO2016175152
Art A1
3. November 2016
Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016175152
- Aktenzeichen
- EP16786429
- Anmeldetag
- 22. April 2016
- Veröffentlichung
- 3. November 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78H01L21/336H01L27/04H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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