Silicon carbide single-crystal substrate, silicon carbide semiconductor device, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

WO2016181667 Art A1 17. November 2016

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016181667
Aktenzeichen: EP16792393
Anmeldetag: 21. Januar 2016
Veröffentlichung: 17. November 2016
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36H01L21/20H01L21/304H01L21/265

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.193 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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