Vacuum channel transistor and method for manufacturing same

WO2016182080 Art A1 17. November 2016

Anmelder: Yamaguchi University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016182080
Aktenzeichen: EP16792804
Anmeldetag: 13. Mai 2016
Veröffentlichung: 17. November 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01J19/02H01J21/10H01L21/336H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Yamaguchi University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Yamaguchi University

Die Yamaguchi University ist eine japanische staatliche Universität. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Pharma und Medizintechnik, ergänzt um organische Chemie, Halbleiter- und Messtechnik sowie Verfahrenstechnik. Die Anmeldungen decken ein breites Spektrum von Geopolymer-Baustoffen bis zu Halbleitermaterialien wie Galliumoxid ab.

250 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von