Magnetoresistive effect element and magnetic memory device

WO2016182085 Art A1 17. November 2016

Anmelder: Tohoku University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2016182085
Aktenzeichen
EP16792809
Anmeldetag
16. Mai 2016
Veröffentlichung
17. November 2016
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/8246G11C11/15H01L27/105H01L29/82H01L43/08
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Tohoku University
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Tohoku University

Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.

2.166 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

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