Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, silicon carbide epitaxial substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and silicon carbide semiconductor device
WO2016185819
Art A1
24. November 2016
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016185819
- Aktenzeichen
- EP16796213
- Anmeldetag
- 6. April 2016
- Veröffentlichung
- 24. November 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/205C23C16/42C30B25/14C30B29/36H01L21/20H01L21/304H01L21/336H01L29/12H01L29/739H01L29/78
Abstract
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Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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