Memory circuit provided with variable-resistance element
WO2016186086
Art A1
24. November 2016
Anmelder: Tohoku University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016186086
- Aktenzeichen
- EP16796479
- Anmeldetag
- 16. Mai 2016
- Veröffentlichung
- 24. November 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C11/15
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tohoku University
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
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