Nitride-based diode element comprising vertical contact structure and preparation method therefor

WO2016186322 Art A1 24. November 2016

Anmelder: Seoul Semiconductor Co., Ltd. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2016186322
Aktenzeichen
EP16796649
Anmeldetag
12. April 2016
Veröffentlichung
24. November 2016
Rechtsraum
WO
IPC
H01L29/872H01L21/768H01L29/861H01L29/778
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Seoul Semiconductor Co., Ltd.
Land
🇰🇷 Südkorea
🇰🇷 Seoul Semiconductor

Seoul Semiconductor ist ein südkoreanischer Hersteller von LED-Bauelementen und Beleuchtungstechnik. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Beleuchtungstechnik, ergänzt um Schaltungstechnik und Optik. Anmeldungen laufen seit 2002 bis in die Gegenwart.

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