Conductive paths through dielectric with a high aspect ratio for semiconductor devices

WO2016186788 Art A1 24. November 2016

Anmelder: Intel IP Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016186788
Aktenzeichen: EP16796897
Anmeldetag: 19. April 2016
Veröffentlichung: 24. November 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/60H01L23/48

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel IP Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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