Hybrid gate dielectrics for semiconductor power devices

WO2016187387 Art A1 24. November 2016

Anmelder: Fairchild Semiconductor Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016187387
Aktenzeichen: EP16797273
Anmeldetag: 19. Mai 2016
Veröffentlichung: 24. November 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/24H01L21/02H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fairchild Semiconductor Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der 2016 von ON Semiconductor übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter- und Schaltungstechnik sowie Leistungselektronik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2017.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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