Semiconductor device

WO2016194494 Art A1 8. Dezember 2016

Anmelder: Advantest Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2016194494
Aktenzeichen
EP16802931
Anmeldetag
18. April 2016
Veröffentlichung
8. Dezember 2016
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/337H01L21/336H01L21/338H01L27/095H01L27/098H01L29/78H01L29/808H01L29/812
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Advantest Corporation
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Advantest

Japanisches Unternehmen mit Sitz in Tokio, Hersteller von Testsystemen für Halbleiter und elektronische Bauteile.

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