Thin Film Transistor Comprising Oxide Semiconductor Layer

WO2016194795 Art A1 8. Dezember 2016

Anmelder: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016194795
Aktenzeichen: EP16803230
Anmeldetag: 27. Mai 2016
Veröffentlichung: 8. Dezember 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/28H01L21/336H01L29/417

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.)
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Kobe Steel

Japanischer Mischkonzern mit Sitz in Kobe, gegründet 1905. Tätigkeitsfelder umfassen Stahl- und Aluminiumerzeugnisse, Maschinenbau sowie Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von