Graded in-situ charge trapping layers to enable electrostatic chucking and excellent particle performance for boron-doped carbon films

WO2016195983 Art A1 8. Dezember 2016

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016195983
Aktenzeichen: EP16803965
Anmeldetag: 16. Mai 2016
Veröffentlichung: 8. Dezember 2016
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/34C23C16/505C23C16/44C23C16/458H01L21/683

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von