Gallium nitride apparatus with a trap rich region

WO2016196160 Art A1 8. Dezember 2016

Anmelder: Analog Devices, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016196160
Aktenzeichen: EP16804049
Anmeldetag: 26. Mai 2016
Veröffentlichung: 8. Dezember 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L29/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Analog Devices, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇮🇪 Analog Devices

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit irischer Konzerngesellschaft. Analog Devices entwickelt analoge, gemischte und digitale Signalverarbeitungschips für Industrie-, Kommunikations- und Automobilanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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