High frequency integrated circuit and emitting device for irradiating the integrated circuit
WO2016198100
Art A1
15. Dezember 2016
Anmelder: Advantest Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2016198100
- Aktenzeichen
- EP15727665
- Anmeldetag
- 10. Juni 2015
- Veröffentlichung
- 15. Dezember 2016
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L31/16H01Q1/22
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Advantest Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Advantest
Japanisches Unternehmen mit Sitz in Tokio, Hersteller von Testsystemen für Halbleiter und elektronische Bauteile.
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