Resistance Change Memory

WO2016198965 Art A1 15. Dezember 2016

Anmelder: Toshiba Memory Corporation, SK Hynix Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016198965
Aktenzeichen: EP16806963
Anmeldetag: 14. März 2016
Veröffentlichung: 15. Dezember 2016
Rechtsraum: WO
IPC: G11C13/00G11C11/15H01L21/8246H01L27/105

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Toshiba Memory Corporation
SK Hynix Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇰🇷 SK hynix

Südkoreanischer Halbleiterhersteller, der Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash für Computer, Server und mobile Geräte produziert.

136 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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