Power module semiconductor device and method for manufacturing same, and inverter device

WO2016199635 Art A1 15. Dezember 2016

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016199635
Aktenzeichen: EP16807342
Anmeldetag: 1. Juni 2016
Veröffentlichung: 15. Dezember 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L25/07H01L23/28H01L23/29H01L23/31H01L25/18H02M7/48

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Elektrische Energietechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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