Metal oxide thin-film transistor and preparation method therefor, and display panel and display device

WO2016201610 Art A1 22. Dezember 2016

Anmelder: Peking University Shenzhen Graduate School 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016201610
Aktenzeichen: EP15895183
Anmeldetag: 15. Juni 2015
Veröffentlichung: 22. Dezember 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Peking University Shenzhen Graduate School
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University Shenzhen Graduate School

Die Peking University Shenzhen Graduate School ist eine chinesische Hochschuleinrichtung mit Forschungsschwerpunkt in Shenzhen. Das Patentportfolio verteilt sich auf Nachrichtentechnik und Software, ergänzt um Medizintechnik, Halbleiterbauelemente und organische Chemie. Anmeldungen laufen von 2006 bis in die Gegenwart.

357 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von